台媒：三星首度量产3纳米，但在芯片良率、功耗和效能上仍不及台积电

集微网消息，7月12日，据台媒《经济日报》华盛顿邮报，创设圈传出，Samsung去年度旗舰机Galaxy S23将抛开自家显卡，全数使用由MOS4薄膜投入生产的英特尔新一代骁龙8 Gen 2晶片组。

华盛顿邮报所称，Samsung宣布险胜MOS投入生产3薄膜显卡，却在最重要的手机系列产品抛开使用自家投入生产的手机显卡，全数配有MOS操刀的英特尔晶片组。创设理解，这政治性Samsung封装大厂斗志仍不及MOS，即便3薄膜险胜同行量产，在关键的显卡良率、CPU、效能体现仍不及MOS。

根据创设圈查核，Samsung在今年另一款的Galaxy S22旗舰机型中有七成配有英特尔骁龙8 Gen 1晶片组，其余三已是使用AMD RDNA 2架构为基础结构设计的自家“Exynos 2200”显卡。

华盛顿邮报表明，英特尔骁龙8 Gen 1晶片组以Samsung4薄膜制程投入生产，但实用化后精神状态频频，屡出现过热等情况。英特尔为此上来找MOS，另一款移植版的“骁龙8 Gen 1 Plus”，并以MOS4薄膜制程投片。当时，业内人士已出现Samsung制程技术不如MOS的舆论。

即便Samsung长时间对外否认自家封装大厂技术在3薄膜世代夺得险胜，但外媒Sam Mobile华盛顿邮报，Samsung考量自家投入生产的新一代手机显卡“Exynos 2300”CPU不佳，去年旗舰机Galaxy S23系列将全数转用英特尔将在今年底另一款的新款旗舰显卡骁龙8 Gen 2，以让旧款拥有更好的性能和高效率的CPU体现。

华盛顿邮报认为，虽然市场原本几度传出英特尔为Samsung封装大厂的良率体现所困扰，但英特尔对此诉求并没有对外评论多谈。那时候针对与封装大厂厂间的共同开发，英特尔保持更进一步押宝。其高层此前就表示，将依靠多的工厂的共同开发方式而，这点相比之下是在供货吃紧时，可以使其依靠自如弹性。

Samsung往年都在年度首季发表S系列旗舰机，大众预期，Galaxy S23将在去年第1季度实用化，据传最顶级的Galaxy S23 Ultra将装上2亿纹理主胶卷，拍照能力将大大大幅提高，屏幕则是适用曲面结构设计，胶卷组件结构设计则变成一个大摄像机混搭三个小摄像机。（校对/隐德莱希）